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FL 26BW長曝光制冷CMOS相機

簡要描述:FL 26BW 長曝光制冷CMOS相機鑫圖光電新一代深度制冷系列的核心產品,專為長曝光成像需求打造,融合索尼最新背照式 CMOS 探測器、鑫圖先進制冷密封工藝與圖像降噪技術,在超長曝光性能上達到深度制冷 CCD 水平,同時在視野、成像速度、動態范圍等維度全面超越傳統 CCD,可替代制冷 CCD 應用于各類長曝光場景,在高級顯微成像、工業檢測等領域擁有廣闊應用前景。

基礎信息

產品型號

廠商性質

經銷商

更新時間

2026-04-28

瀏覽次數

1225
詳細介紹
FL 26BW 是鑫圖光電新一代深度制冷系列的核心產品,專為長曝光成像需求打造,融合索尼最新背照式 CMOS 探測器、鑫圖先進制冷密封工藝與圖像降噪技術,在超長曝光性能上達到深度制冷 CCD 水平,同時在視野、成像速度、動態范圍等維度全面超越傳統 CCD,可替代制冷 CCD 應用于各類長曝光場景,在高級顯微成像、工業檢測等領域擁有廣闊應用前景。
 

核心性能優勢

 

超優長曝光成像表現

 
相機暗電流低至 < 0.0005 e-/p/s,搭配精準的溫度控制技術,可將芯片制冷溫度穩定鎖定在 - 25℃(室溫 22℃環境下),即使在長達 30 分鐘的超長曝光拍攝中,成像信噪比仍優于典型深度制冷 CCD(ICX695),解決長曝光下的熱噪聲干擾問題。
 

成像背景均一,適配精準定量分析

 
集成索尼背照式芯片的優異輝光抑制能力與鑫圖自研圖像降噪處理技術,從硬件到算法雙重優化,基本杜絕邊角亮光、壞點像素等成像瑕疵,即使 600s 長曝光下,圖像背景仍保持佳均一性,為生物、化學等領域的定量分析提供精準、可靠的成像數據。
 

索尼科學級芯片加持,綜合性能拉滿

 
搭載索尼 IMX571BLR-J 背照式(BSI)CMOS 科學級芯片,峰值量子效率高達 92%(@460 nm),弱光環境下的光子捕捉與轉化能力突出;讀出噪聲可低至 0.9 e-,弱光成像能力遠超傳統 CCD;動態范圍達到 16000:1,是傳統 CCD 的 4 倍以上,可同時捕捉高亮度與低亮度區域的細節,大幅拓展信號測量范圍。
 

詳細技術參數

 
FL 26BW 為黑白制冷 CMOS 相機,核心參數與硬件配置均對標專業級科學成像需求,具體參數如下:
參數類別 具體指標
芯片核心 芯片類型:BSI CMOS
 
芯片型號:SONY IMX571BLR-J
 
對角線尺寸:28.3 mm (1.8")
 
有效面積:23.4 mm x 15.6 mm
 
像素大小:3.76 μm × 3.76 μm
 
分辨率:6244(H) × 4168 (V)
成像性能 峰值量子效率:92 % @ 460 nm
 
暗電流:< 0.0005 e-/p/s
 
位深:16 bit
 
增益模式:Gain 0/Gain 1/Gain 2/Gain 3
 
滿阱容量:50 ke- @ Gain 0、15 ke- @ Gain 1、7.8 ke- @ Gain 2、3 ke- @ Gain 3
 
讀出噪聲:2.7 e- @ Gain 0、1.0 e- @ Gain 1、0.95 e- @ Gain 2、0.85 e- @ Gain 3
 
幀率:6.5 fps
 
快門類型:卷簾
 
曝光時間:34 μs ~ 60 min
圖像優化 圖像校正:DPC
 
ROI:支持
 
Binning:2 x 2/3 x 3/4 x 4/5 x 5/6 x 6/8 x 8/16 x 16
制冷系統 制冷方式:風冷
 
制冷溫度:-25 ℃ @ 室溫(22 ℃)
觸發與接口 觸發模式:硬件 / 軟件
 
觸發輸出:曝光開始 / 全局 / 讀出結束 / 高電平 / 低電平
 
觸發接口:Hirose
 
SDK:C/C++/C#
 
數據接口:USB 3.0
 
光學接口:M42,支持用戶定制
供電與規格 電源:12 V / 8 A
 
功耗:≤ 55 W
 
相機尺寸:85 mm x 85 mm x 97 mm
 
重量:945 g
運行環境 操作系統:Windows / Linux
 
工作環境:溫度 0~40 °C、濕度 10~85 %
 
儲存環境:溫度 -10~60 ℃、濕度 0~85 %
 

典型應用方向

 
依托出色的長曝光成像、弱光捕捉與定量分析能力,FL 26BW 可廣泛應用于生物與化學檢測、顯微成像等專業領域,核心應用場景包括:
 
  1. 生物芯片成像分析
  2. 化學發光檢測
  3. 數字聚合酶鏈式反應(dPCR)
  4. 熒光成像
 

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